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SIHP28N65E-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 29A, TO-220AB
978 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,540 $ |
| 10+ | 7,590 $ |
| 25+ | 7,020 $ |
| 50+ | 6,470 $ |
| 100+ | 5,740 $ |
| 500+ | 5,200 $ |
| 1000+ | 4,480 $ |
| 2500+ | 4,150 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,54 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP28N65E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande26AK5809
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
On Resistance Rds(on)0.097ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.097ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit