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67 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 29,530 $ |
| 10+ | 27,580 $ |
| 50+ | 26,840 $ |
| 100+ | 24,150 $ |
| 500+ | 17,890 $ |
| 1000+ | 17,740 $ |
| 2500+ | 17,600 $ |
| 5000+ | 17,300 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
29,53 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHS90N65E-GE3
Code Commande25AJ2827
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.029ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSuper-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation625W
Power Dissipation Pd625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Transistor Case Style
Super-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits