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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,480 $ |
10+ | 1,670 $ |
25+ | 1,520 $ |
50+ | 1,360 $ |
100+ | 1,210 $ |
250+ | 1,110 $ |
500+ | 1,020 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,48 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHU2N80AE-GE3
Code Commande93AH0387
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.9A
On Resistance Rds(on)2.5ohm
Drain Source On State Resistance2.9ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
2.5ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source On State Resistance
2.9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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