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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,260 $ |
10+ | 1,160 $ |
25+ | 1,100 $ |
50+ | 1,050 $ |
100+ | 1,000 $ |
500+ | 0,989 $ |
1000+ | 0,944 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,26 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHU5N80AE-GE3
Code Commande77AH0226
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance1.35ohm
On Resistance Rds(on)1.17ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.35ohm
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
On Resistance Rds(on)
1.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits