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Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,330 $ |
| 10+ | 7,370 $ |
| 25+ | 7,270 $ |
| 50+ | 7,190 $ |
| 100+ | 7,090 $ |
| 500+ | 5,760 $ |
| 1000+ | 5,130 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,33 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHW21N80AE-GE3
Code Commande10AH0967
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17.4A
Drain Source On State Resistance0.235ohm
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd32W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Case Style
TO-247AD
Power Dissipation Pd
32W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.4A
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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