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SIJ150DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 45V, 110A, 150DEG C, 65.7W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ150DP-T1-GE3
Code Commande40AH5358
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,440 $ |
| 10+ | 1,820 $ |
| 25+ | 1,710 $ |
| 50+ | 1,600 $ |
| 100+ | 1,490 $ |
| 250+ | 1,370 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,44 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ150DP-T1-GE3
Code Commande40AH5358
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.00225ohm
On Resistance Rds(on)0.00225ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.00225ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.00225ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIJ150DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit