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SIJ478DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ478DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9528
Mise en bobine57AJ0385RL
Bandes découpées57AJ0385
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 104 En Stock
3 104 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,550 $ | 3,55 $ |
| Total Prix | 3,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,550 $ |
| 50+ | 2,400 $ |
| 100+ | 1,730 $ |
| 250+ | 1,590 $ |
| 500+ | 1,430 $ |
| 1000+ | 1,340 $ |
| 2500+ | 1,300 $ |
| 5000+ | 1,260 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,250 $ |
| 18000+ | 1,220 $ |
| 30000+ | 1,200 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ478DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9528
Mise en bobine57AJ0385RL
Bandes découpées57AJ0385
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIJ478DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit