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SIJA22DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 25V, 201A, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJA22DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6218
Mise en bobine04AJ4576RL
Bandes découpées04AJ4576
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
2 036 En Stock
2 036 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,770 $ | 3,77 $ |
| Total Prix | 3,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,770 $ |
| 50+ | 2,550 $ |
| 100+ | 1,850 $ |
| 250+ | 1,690 $ |
| 500+ | 1,540 $ |
| 1000+ | 1,440 $ |
| 2500+ | 1,400 $ |
| 5000+ | 1,360 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,300 $ |
| 9000+ | 1,220 $ |
| 15000+ | 1,190 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJA22DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6218
Mise en bobine04AJ4576RL
Bandes découpées04AJ4576
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id201A
On Resistance Rds(on)570µohm
Drain Source On State Resistance570µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation48W
Power Dissipation Pd48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
570µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
201A
Drain Source On State Resistance
570µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits