Imprimer la page
SIJA72ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 96A, 40V, POWERPAK SO
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJA72ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine99AC9564RL
Bandes découpées99AC9564
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 53 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,440 $ | 2,44 $ |
| Total Prix | 2,44 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,440 $ |
| 50+ | 1,620 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 250+ | 1,060 $ |
| 500+ | 0,958 $ |
| 1000+ | 0,893 $ |
| 2500+ | 0,853 $ |
| 5000+ | 0,811 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJA72ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine99AC9564RL
Bandes découpées99AC9564
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance3420µohm
On Resistance Rds(on)0.00285ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd56.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3420µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
On Resistance Rds(on)
0.00285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
56.8W
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIJA72ADP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit