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SIJH600E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJH600E-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant44 semaines
Code Commande87AJ3387
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJH600E-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant44 semaines
Code Commande87AJ3387
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance920µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
920µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIJH600E-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit