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SIR122LDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 62.3A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR122LDP-T1-RE3
Code Commande57AJ5702
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
3 021 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,120 $ |
| 25+ | 1,880 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 500+ | 1,370 $ |
| 1000+ | 1,080 $ |
| 2500+ | 1,040 $ |
| 5000+ | 0,998 $ |
| 10000+ | 0,987 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,12 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR122LDP-T1-RE3
Code Commande57AJ5702
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id62.3A
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd65.7W
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
62.3A
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits