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SIR167DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, 150DEG C
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR167DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6226
Mise en bobine81AC2790RL
Bandes découpées81AC2790
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Votre numéro de pièce
1 806 En Stock
1 806 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,910 $ | 14,55 $ |
| Total Prix | 14,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,910 $ |
| 10+ | 1,520 $ |
| 15+ | 1,490 $ |
| 25+ | 1,450 $ |
| 50+ | 1,420 $ |
| 125+ | 1,390 $ |
| 250+ | 1,360 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,040 $ |
| 6000+ | 1,010 $ |
| 9000+ | 0,937 $ |
| 15000+ | 0,866 $ |
| 30000+ | 0,842 $ |
| 75000+ | 0,828 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR167DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6226
Mise en bobine81AC2790RL
Bandes découpées81AC2790
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance5500µohm
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR167DP-T1-GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit