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SIR178DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 20V, 430A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR178DP-T1-RE3
Code Commande93AH0389
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
1 655 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,380 $ |
| 10+ | 2,520 $ |
| 25+ | 2,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
16,90 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR178DP-T1-RE3
Code Commande93AH0389
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id430A
On Resistance Rds(on)310µohm
Drain Source On State Resistance0.00031ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
310µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
430A
Drain Source On State Resistance
0.00031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR178DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits