Imprimer la page
SIR180ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 137A, POWERPAK SO
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR180ADP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AH9257RL
Bandes découpées81AH9257
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
5 749 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,580 $ | 4,58 $ |
| Total Prix | 4,58 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,580 $ |
| 50+ | 2,970 $ |
| 100+ | 2,250 $ |
| 250+ | 2,110 $ |
| 500+ | 1,960 $ |
| 1000+ | 1,880 $ |
| 2500+ | 1,860 $ |
| 5000+ | 1,830 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR180ADP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AH9257RL
Bandes découpées81AH9257
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id137A
Drain Source On State Resistance2200µohm
On Resistance Rds(on)0.0018ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation83.3W
Power Dissipation Pd83.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83.3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
137A
On Resistance Rds(on)
0.0018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Power Dissipation Pd
83.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit