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SIR186DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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8 201 En Stock
8 201 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,220 $ | 3,22 $ |
| Total Prix | 3,22 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,220 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 1,600 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,330 $ |
| 1000+ | 1,250 $ |
| 2500+ | 1,200 $ |
| 5000+ | 1,160 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,160 $ |
| 4000+ | 1,070 $ |
| 6000+ | 0,895 $ |
| 10000+ | 1,030 $ |
| 18000+ | 0,812 $ |
| 30000+ | 0,795 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR186DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7438
Bobine complète86AK6230
Mise en bobine37AC0918RL
Bandes découpées37AC0918
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS - Qi figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR186DP-T1-RE3
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit