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13 277 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,910 $ |
| 10+ | 1,380 $ |
| 25+ | 1,300 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
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Minimum: 5
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9,55 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR424DP-T1-GE3
Code Commande01AC4968
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Drain Source On State Resistance0.0055ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd41.7W
Power Dissipation41.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
41.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
41.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR424DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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