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SIR426DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,240 $ |
| 25+ | 1,420 $ |
| 50+ | 1,180 $ |
| 100+ | 0,943 $ |
| 250+ | 0,859 $ |
| 500+ | 0,773 $ |
| 1000+ | 0,677 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,24 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR426DP-T1-GE3
Code Commande49AM1978
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation41.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits