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SIR4409DP-T1-RE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR4409DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7537RL
Bandes découpées79AK7537
Votre numéro de pièce
4 403 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,110 $ | 3,11 $ |
| Total Prix | 3,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,110 $ |
| 50+ | 2,070 $ |
| 100+ | 1,490 $ |
| 250+ | 1,360 $ |
| 500+ | 1,230 $ |
| 1000+ | 1,150 $ |
| 2500+ | 1,110 $ |
| 5000+ | 1,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR4409DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7537RL
Bandes découpées79AK7537
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id60.6A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation59.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
60.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
59.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit