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SIR450DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 45V, 113A, 150DEG C, 48W ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR450DP-T1-RE3
Code Commande50AJ6059
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
4 895 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,630 $ |
| 25+ | 2,330 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 500+ | 1,700 $ |
| 1000+ | 1,340 $ |
| 2500+ | 1,290 $ |
| 5000+ | 1,240 $ |
| 10000+ | 1,230 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,63 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR450DP-T1-RE3
Code Commande50AJ6059
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id113A
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Drain Source On State Resistance0.0015ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation Pd48W
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
48W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
Drain Source On State Resistance
0.0015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits