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SIR5102DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 100V, 110A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR5102DP-T1-RE3
Code Commande57AJ0398
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
14 562 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,540 $ |
| 10+ | 4,090 $ |
| 25+ | 3,740 $ |
| 50+ | 3,410 $ |
| 100+ | 3,060 $ |
| 250+ | 2,920 $ |
| 500+ | 2,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,54 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR5102DP-T1-RE3
Code Commande57AJ0398
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance4100µohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4100µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits