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SIR5211DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 105A, POWERPAK SO-8S
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR5211DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7538RL
Bandes découpées79AK7538
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
3 720 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,210 $ | 2,21 $ |
| Total Prix | 2,21 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 50+ | 1,400 $ |
| 100+ | 0,941 $ |
| 250+ | 0,841 $ |
| 500+ | 0,741 $ |
| 1000+ | 0,676 $ |
| 2500+ | 0,636 $ |
| 5000+ | 0,595 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR5211DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7538RL
Bandes découpées79AK7538
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit