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SIR588DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 59.5A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR588DP-T1-RE3
Code Commande23AK8717
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
2 601 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,260 $ |
| 10+ | 1,300 $ |
| 25+ | 1,240 $ |
| 50+ | 1,170 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,010 $ |
| 500+ | 0,909 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,26 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR588DP-T1-RE3
Code Commande23AK8717
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59.5A
On Resistance Rds(on)0.0063ohm
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd59.5W
Power Dissipation59.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0063ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
59.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59.5A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
59.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits