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SIR616DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 20.2A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR616DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0402
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
1 900 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,850 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,85 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR616DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0402
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id20.2A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance0.0505ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd52W
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
Drain Source On State Resistance
0.0505ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR616DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits