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SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 165A, 150DEG C, 104W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR626ADP-T1-RE3
Code Commande54AH6881
Gamme de produitTrenchFET GEN IV
Fiche technique
1 837 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,940 $ |
| 10+ | 2,990 $ |
| 25+ | 2,740 $ |
| 50+ | 2,490 $ |
| 100+ | 2,240 $ |
| 250+ | 2,090 $ |
| 500+ | 1,920 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,94 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR626ADP-T1-RE3
Code Commande54AH6881
Gamme de produitTrenchFET GEN IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id165A
Drain Source On State Resistance1750µohm
On Resistance Rds(on)0.00145ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET GEN IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1750µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET GEN IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
165A
On Resistance Rds(on)
0.00145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits