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SIR826BDP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 80.8 A, 0.0051 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR826BDP-T1-RE3
Code Commande99AC0540
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
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|---|---|
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| 10+ | 0,859 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR826BDP-T1-RE3
Code Commande99AC0540
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id80.8A
On Resistance Rds(on)0.00435ohm
Drain Source On State Resistance5100µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00435ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80.8A
Drain Source On State Resistance
5100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR826BDP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit