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SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 86A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR826LDP-T1-RE3
Code Commande93AH0390
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
11 515 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,880 $ |
| 10+ | 2,310 $ |
| 25+ | 2,100 $ |
| 50+ | 1,910 $ |
| 100+ | 1,700 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
14,40 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR826LDP-T1-RE3
Code Commande93AH0390
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id86A
On Resistance Rds(on)0.00415ohm
Drain Source On State Resistance5000µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00415ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
86A
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR826LDP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits