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SIR873DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 37 A, 0.0475 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR873DP-T1-GE3
Code Commande59AC7443
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Options de conditionnement
2 474 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,340 $ |
| 25+ | 1,220 $ |
| 50+ | 1,220 $ |
| 100+ | 1,130 $ |
| 250+ | 1,130 $ |
| 500+ | 1,130 $ |
| 1000+ | 1,130 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,34 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR873DP-T1-GE3
Code Commande59AC7443
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source On State Resistance0.0475ohm
On Resistance Rds(on)0.0395ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0475ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
37A
On Resistance Rds(on)
0.0395ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits