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SIR880DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0059 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR880DP-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine79R5405
Bandes découpées79R5405
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821 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,590 $ | 5,59 $ |
| Total Prix | 5,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,590 $ |
| 25+ | 3,900 $ |
| 50+ | 3,410 $ |
| 100+ | 2,910 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR880DP-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine79R5405
Bandes découpées79R5405
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Drain Source On State Resistance0.0059ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd6.25W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation6.25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0059ohm
Power Dissipation Pd
6.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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