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SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 100V, 67.5A, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882BDP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande93AH0391
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,800 $ |
| 10+ | 2,580 $ |
| 25+ | 2,340 $ |
| 50+ | 2,100 $ |
| 100+ | 1,870 $ |
| 250+ | 1,710 $ |
| 500+ | 1,560 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
19,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882BDP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande93AH0391
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id67.5A
Drain Source On State Resistance8300µohm
On Resistance Rds(on)0.0069ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation83.3W
Power Dissipation Pd83.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8300µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83.3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.5A
On Resistance Rds(on)
0.0069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
83.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit