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SIR882DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3813
Bandes découpées94T2661
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,600 $ | 4 800,00 $ |
| Total Prix | 4 800,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,600 $ |
| 6000+ | 1,570 $ |
| 9000+ | 1,530 $ |
| 15000+ | 1,500 $ |
| 30000+ | 1,470 $ |
| 75000+ | 1,440 $ |
| 150000+ | 1,400 $ |
| 300000+ | 1,370 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,710 $ |
| 9000+ | 1,680 $ |
| 15000+ | 1,640 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3813
Bandes découpées94T2661
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5.4W
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SIR882DP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server and full/half-bridge DC-to-DC applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit