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SIRA10DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA10DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande68W7083
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,996 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 988,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA10DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande68W7083
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd40W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation40W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
Power Dissipation Pd
40W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit