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SIRA14BDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 64 A, 5380 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14BDP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande42AJ0473
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14BDP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande42AJ0473
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance5380µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation36W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5380µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIRA14BDP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit