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SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 64A, 30V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14BDP-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine99AC9568
Bandes découpées99AC9568
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 667 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,890 $ |
| 10+ | 0,654 $ |
| 25+ | 0,598 $ |
| 50+ | 0,543 $ |
| 100+ | 0,487 $ |
| 250+ | 0,470 $ |
| 500+ | 0,454 $ |
| 1000+ | 0,416 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14BDP-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine99AC9568
Bandes découpées99AC9568
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id64A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance5380µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd36W
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation36W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
5380µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
36W
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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