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SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 30.6A, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA18ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète76Y1484
Mise en bobine57AJ0394RL
Bandes découpées57AJ0394
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
7 944 En Stock
7 944 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,450 $ | 7,25 $ |
| Total Prix | 7,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,450 $ |
| 50+ | 0,937 $ |
| 100+ | 0,639 $ |
| 250+ | 0,575 $ |
| 500+ | 0,511 $ |
| 1000+ | 0,470 $ |
| 2500+ | 0,443 $ |
| 5000+ | 0,416 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,501 $ |
| 10000+ | 0,450 $ |
| 20000+ | 0,411 $ |
| 30000+ | 0,387 $ |
| 50000+ | 0,361 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA18ADP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète76Y1484
Mise en bobine57AJ0394RL
Bandes découpées57AJ0394
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30.6A
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Drain Source On State Resistance8700µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation14.7W
Power Dissipation Pd14.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
14.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30.6A
Drain Source On State Resistance
8700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
14.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA18ADP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit