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1 639 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,110 $ | 3,11 $ |
| Total Prix | 3,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,110 $ |
| 50+ | 2,000 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
| 250+ | 1,260 $ |
| 500+ | 1,130 $ |
| 1000+ | 1,000 $ |
| 2500+ | 0,964 $ |
| 5000+ | 0,927 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRC10DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Mise en bobine15AC8638RL
Bandes découpées15AC8638
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel + Schottky
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd43W
Power Dissipation43W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
43W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRC10DP-T1-GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
