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SIRS4301DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 227 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS4301DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AK7734RL
Bandes découpées74AK7734
Votre numéro de pièce
650 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,450 $ | 7,45 $ |
| Total Prix | 7,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,450 $ |
| 50+ | 5,240 $ |
| 100+ | 3,980 $ |
| 250+ | 3,770 $ |
| 500+ | 3,540 $ |
| 1000+ | 3,500 $ |
| 2500+ | 3,440 $ |
| 5000+ | 3,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS4301DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AK7734RL
Bandes découpées74AK7734
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id227A
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
227A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit