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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS5800DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine76AK7100RL
Bandes découpées76AK7100
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
5 818 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,010 $ | 7,01 $ |
| Total Prix | 7,01 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,010 $ |
| 50+ | 4,880 $ |
| 100+ | 3,690 $ |
| 250+ | 3,460 $ |
| 500+ | 3,240 $ |
| 1000+ | 3,200 $ |
| 2500+ | 3,150 $ |
| 5000+ | 3,110 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS5800DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine76AK7100RL
Bandes découpées76AK7100
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id265A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation240W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
265A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
