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SIS106DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 16A, 150DEG C, 24W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS106DN-T1-GE3
Code Commande04AJ4579
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,060 $ |
| 10+ | 1,520 $ |
| 25+ | 1,440 $ |
| 50+ | 1,350 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,170 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,06 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS106DN-T1-GE3
Code Commande04AJ4579
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0185ohm
On Resistance Rds(on)0.0142ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation24W
Power Dissipation Pd24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0185ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS106DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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