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SIS110DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 14.2A, 150DEG C, 24W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS110DN-T1-GE3
Code Commande78AC6534
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
27 090 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,330 $ |
| 10+ | 0,982 $ |
| 25+ | 0,898 $ |
| 50+ | 0,814 $ |
| 100+ | 0,730 $ |
| 250+ | 0,686 $ |
| 500+ | 0,640 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,33 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS110DN-T1-GE3
Code Commande78AC6534
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14.2A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd24W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
24W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.2A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS110DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits