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SIS110DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS110DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7459
Bandes découpées15AN1314
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 6000 | 0,614 $ | 3 684,00 $ |
| Total Prix | 3 684,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,614 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,557 $ |
| 18000+ | 0,555 $ |
| 30000+ | 0,546 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS110DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7459
Bandes découpées15AN1314
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.2A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIS110DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit