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SIS176LDN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 70 V, 42.3 A, 0.0109 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS176LDN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande87AJ3414
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS176LDN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande87AJ3414
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id42.3A
Drain Source On State Resistance0.0109ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42.3A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source On State Resistance
0.0109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIS176LDN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit
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