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SIS412DN-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 12A, POWERPAK8
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS412DN-T1-GE3Copie
Code Commande55R1906
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd15.6W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SIS412DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
15.6W
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit