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SIS434DN-T1-GE3
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS434DN-T1-GE3
Code Commande60AC3814
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0063ohm
Drain Source On State Resistance7600µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation3.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0063ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
3.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
7600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits