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SIS438DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 16 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS438DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0413
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
4 102 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,590 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,919 $ |
| 250+ | 0,859 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,59 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS438DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0413
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
On Resistance Rds(on)0.0079ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation Pd27.7W
Power Dissipation27.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
27.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation
27.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS438DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits