Imprimer la page
SIS488DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 40 A, 0.0055 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS488DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète55X4637
Mise en bobine57AJ0415RL
Bandes découpées57AJ0415
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 773 En Stock
2 773 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,430 $ | 2,43 $ |
| Total Prix | 2,43 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,430 $ |
| 50+ | 1,600 $ |
| 100+ | 1,130 $ |
| 250+ | 1,030 $ |
| 500+ | 0,932 $ |
| 1000+ | 0,866 $ |
| 2500+ | 0,825 $ |
| 5000+ | 0,784 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,764 $ |
| 9000+ | 0,749 $ |
| 15000+ | 0,734 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS488DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète55X4637
Mise en bobine57AJ0415RL
Bandes découpées57AJ0415
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0055ohm
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0055ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS488DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit