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SIS862ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 52 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS862ADN-T1-GE3Copie
Code Commande42AJ0532
Gamme de produitTrenchFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,550 $ |
| 10+ | 1,240 $ |
| 25+ | 1,150 $ |
| 50+ | 1,060 $ |
| 100+ | 0,955 $ |
| 500+ | 0,855 $ |
| 1000+ | 0,747 $ |
| 2500+ | 0,700 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS862ADN-T1-GE3Copie
Code Commande42AJ0532
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIS862ADN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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