Imprimer la page
SIS892DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.029 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS892DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3819
Mise en bobine94T2851RL
Bandes découpées94T2851
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,140 $ | 3,14 $ |
| Total Prix | 3,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,140 $ |
| 50+ | 2,000 $ |
| 100+ | 1,360 $ |
| 250+ | 1,220 $ |
| 500+ | 1,080 $ |
| 1000+ | 0,994 $ |
| 2500+ | 0,974 $ |
| 5000+ | 0,955 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,220 $ |
| 9000+ | 1,130 $ |
| 15000+ | 1,110 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS892DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3819
Mise en bobine94T2851RL
Bandes découpées94T2851
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SIS892DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit