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SISA35DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -16A, 150DEG C, 24W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3
Code Commande54AH3777
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
8 190 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,833 $ |
| 10+ | 0,644 $ |
| 25+ | 0,569 $ |
| 50+ | 0,494 $ |
| 100+ | 0,419 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,16 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3
Code Commande54AH3777
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd24W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
24W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISA35DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits