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SISA35DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande42AJ0497
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,660 $ |
| 10+ | 0,542 $ |
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| 500+ | 0,349 $ |
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| 2500+ | 0,268 $ |
| 10000+ | 0,263 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande42AJ0497
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SISA35DN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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