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SISF02DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF02DN-T1-GE3
Code Commande10AH0973
Gamme de produitTrenchFET Series
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Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 2,990 $ | 0,232 $ |
| 10+ | 1,960 $ | 0,232 $ |
| 25+ | 1,800 $ | 0,232 $ |
| 50+ | 1,640 $ | 0,232 $ |
| 100+ | 1,480 $ | 0,232 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISF02DN-T1-GE3
Code Commande10AH0973
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel2700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel2700µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
2700µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
2700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit